Nitrogen Adsorption on Cu(001): Mechanisms of Stress Relief and Coexistence of Two Domains
نویسندگان
چکیده
We have studied nanometer-scale features observed with scanning tunneling microscopy on nitrogen (N)-adsorbed Cu(001) surfaces. Grid-like nanopattern aligned in [100] directions at a medium N-coverage and trenches along [110] appearing higher are frequently reported. In addition, we “diagonal lines” grid-patterned surface “dark curves” growing from the trench ends. All above responsible for relief of N-induced compressive stress. propose structural models five features, based hard-sphere model, estimate how much strain is absorbed by feature. Nitrogen atoms adsorbed c(2 × 2) arrangement. Since two energetically-equivalent arrangements possible, N-adsorbed domains can be “in-phase” or “antiphase” direction domain boundary. show also that each strain-relief feature has specific preference phases. Looking out over mechanisms, note that, N coverage is, more effective mechanism chosen, “monoatomic line” (a component grid) very unique since it formed between in-phase domains.
منابع مشابه
the effect of explicit teaching of metacognitive vocabulary learning strategies on recall and retention of idioms
چکیده ندارد.
15 صفحه اولa comparative analysis of the marginal microleakages of two pit and fissure sealans, conseal-f and conseal clear
چکیده ندارد.
15 صفحه اولeffect of seed priming and irrigation regimes on yield,yield components and quality of safflowers cultivars
این مطالعه در سال 1386-87 در آزمایشگاه و مزرعه پژوهشی دانشگاه صنعتی اصفهان به منظور تعیین مناسب ترین تیمار بذری و ارزیابی اثر پرایمینگ بر روی سه رقم گلرنگ تحت سه رژیم آبیاری انجام گرفت. برخی از مطالعات اثرات سودمند پرایمینگ بذر را بر روی گیاهان مختلف بررسی کرده اند اما در حال حاضر اطلاعات کمی در مورد خصوصیات مربوط به جوانه زنی، مراحل نموی، عملکرد و خصوصیات کمی و کیفی بذور تیمار شده ژنوتیپ های م...
ذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: E-journal of Surface Science and Nanotechnology
سال: 2023
ISSN: ['1348-0391']
DOI: https://doi.org/10.1380/ejssnt.2023-044